Si se quiere amplificar, se necesitan circuitos cuyos puntos Q sean inmunes a los cambios en la ganancia de corriente, esto es, interesa que el punto Q sea lo más estable posible.
Para este propósito ahora se analizará el "Circuito de polarización de Emisor", que es el siguiente:
Como estamos en activa VBE = 0.7 V. Por lo tanto y viendo la malla de entrada la tensión VC será de 4.3 V. Entonces la intensidad IE por la resistencia RE será de:
La malla de salida: |
Si bcc = 150 solo varía IB.
"El punto Q es muy estable".
Pero esto no es del todo exacto, porque algo varía, esto se verá si no se usa la aproximación de IC = IE. Sin esta aproximación tenemos:
Con bcc = 150:
Simulación
En este applet podemos ver la recta de carga en continua de un transistor npn con polarización de emisor.
Cada vez que se introduzcan nuevos datos hay que pulsar el botón "Calcular".
En el área de "Resultados" podemos ver todas las corrientes del transistor, al igual que las tensiones.
El applet también nos dirá si el transistor esta trabajando en la zona activa, corte o saturación.
Podemos variar la escala de la gráfica modificando la "escala del eje y".
Para realización de esta simulación se han tomado estas equivalencias:
VBB = Vbb Vbe = 0,7 V RE = Re RB = Rb RC = Rc b = BetaVCB = Vcb VCE = Vce = 0,7 V IB = Ib =Ibase IC = Ic =Icolector VCC = Vcc
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