Aproximaciones para el transistor


Las características de entrada y salida no son lineales:

Para facilitar los cálculos usaremos las siguientes aproximaciones.
1ª aproximación (ideal)
Esta es la aproximación ideal, por lo tanto la menos exacta de las tres, las características de entrada y salida son estas:

2ª aproximación
Esta aproximación no es tan ideal como la anterior por lo tanto se parece más al funcionamiento real del transistor.

3ª aproximación
La aproximación más exacta o la que más se parece a la realidad, por lo tanto algo más compleja que las anteriores, se gana en exactitud pero también en complejidad.

EJEMPLO: En este ejemplo usaremos las 3 aproximaciones para ver que error se comete de una a otra.

  • 1ª aproximación
Para saber donde estamos hacemos una hipótesis. Hipótesis: ACTIVA.

Vemos que la UE está en directa y la UC está en inversa por lo tanto la hipótesis es correcta, estamos en activa.
  • 2ª aproximación

También queda demostrado que nos encontramos en activa. La mayor diferencia esta en VCE y debido eso se recomienda usar la 2ª aproximación en vez de la 1ª aproximación.
En problemas complicados, con varios transistores, para reducir incógnitas se toma: IC = IE.
La 3ª aproximación no se suele utilizar, porque no se sabe en que punto estamos trabajando (punto Q). En practicas se podría utilizar la 3ª aproximación midiendo la tensión VBE con el voltímetro, pero en problemas no se usa la 3ª aproximación.
Si supiéramos su valor, aplicamos la 3ª aproximación y se ven los valores que salen:
  • 3ª aproximación
Por ejemplo con un voltímetro mido la tensión VBE y me sale el siguiente valor:

Como se ve los errores son mínimos comparándolos con la 2ª aproximación, por eso usaremos la 2ª aproximación.

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